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STL11N6F7

STL11N6F7

Nur als Referenz

Teilenummer STL11N6F7
PNEDA Teilenummer STL11N6F7
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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STL11N6F7 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL11N6F7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL11N6F7, STL11N6F7 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 653,17 KB)
PDFSTL11N6F7 Datenblatt Cover
STL11N6F7 Datenblatt Seite 2 STL11N6F7 Datenblatt Seite 3 STL11N6F7 Datenblatt Seite 4 STL11N6F7 Datenblatt Seite 5 STL11N6F7 Datenblatt Seite 6 STL11N6F7 Datenblatt Seite 7 STL11N6F7 Datenblatt Seite 8 STL11N6F7 Datenblatt Seite 9 STL11N6F7 Datenblatt Seite 10 STL11N6F7 Datenblatt Seite 11

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STL11N6F7 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1035pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.9W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Fall8-PowerVDFN

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI8800EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-Microfoot

Paket / Fall

4-XFBGA, CSPBGA

NVD5802NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.4A (Ta), 101A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 93.75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TPC6107(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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-

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-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6) HV

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Kürzlich verkauft

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