STL36DN6F7
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| Teilenummer | STL36DN6F7 |
| PNEDA Teilenummer | STL36DN6F7 |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.652 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STL36DN6F7 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STL36DN6F7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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STL36DN6F7 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 33A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 30V |
| Leistung - max | 58W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (5x6) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 15V, 807pF @ 15V Leistung - max 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1W, 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V Leistung - max 2.75W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
