Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STL65DN3LLH5

STL65DN3LLH5

Nur als Referenz

Teilenummer STL65DN3LLH5
PNEDA Teilenummer STL65DN3LLH5
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.020
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL65DN3LLH5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL65DN3LLH5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STL65DN3LLH5, STL65DN3LLH5 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 511,12 KB)
PDFSTL65DN3LLH5 Datenblatt Cover
STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 2 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 3 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 4 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 5 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 6 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 7 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 8 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 9 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 10 STL65DN3LLH5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STL65DN3LLH5 Datasheet
  • where to find STL65DN3LLH5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STL65DN3LLH5
  • STL65DN3LLH5 PDF Datasheet
  • STL65DN3LLH5 Stock

  • STL65DN3LLH5 Pinout
  • Datasheet STL65DN3LLH5
  • STL65DN3LLH5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STL65DN3LLH5 Price
  • STL65DN3LLH5 Distributor

STL65DN3LLH5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Leistung - max60W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SSM6L36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA, 330mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

CSD75211W1723

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-UFBGA, DSBGA

Lieferantengerätepaket

12-DSBGA

FDC6420C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

SI1023X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

DMN2022UNS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.8mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Kürzlich verkauft

TQ2SA-5V

TQ2SA-5V

Panasonic Electric Works

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

J111

J111

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 625MW TO92

DS2781E+T&R

DS2781E+T&R

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE BATT 8TSSOP

AD620ARZ

AD620ARZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC

74HC160N,652

74HC160N,652

NXP

IC SYNC BCD DECADE COUNT 16DIP

MAX1037EKA+T

MAX1037EKA+T

Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR SOT23-8

0001.2536

0001.2536

Schurter

FUSE CER 16A 250VAC 63VDC 3AB

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

TMMDB3

TMMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 2A MINIMELF

PS2805-1-A

PS2805-1-A

CEL

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4SOIC

2SA1037AKT146R

2SA1037AKT146R

Rohm Semiconductor

TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346

LTC3642EMS8E-5#PBF

LTC3642EMS8E-5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK 5V 50MA 8MSOP