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STL7DN6LF3

STL7DN6LF3

Nur als Referenz

Teilenummer STL7DN6LF3
PNEDA Teilenummer STL7DN6LF3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.124
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL7DN6LF3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL7DN6LF3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STL7DN6LF3, STL7DN6LF3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 987,1 KB)
PDFSTL7DN6LF3 Datenblatt Cover
STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 2 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 3 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 4 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 5 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 6 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 7 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 8 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 9 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 10 STL7DN6LF3 Datenblatt Seite 11

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STL7DN6LF3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds432pF @ 25V
Leistung - max52W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

Leistung - max

156W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.12mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Leistung - max

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

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