STP21N65M5
Nur als Referenz
| Teilenummer | STP21N65M5 |
| PNEDA Teilenummer | STP21N65M5 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 34.074 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STP21N65M5 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | STP21N65M5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STP21N65M5 Datasheet
- where to find STP21N65M5
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STP21N65M5
- STP21N65M5 PDF Datasheet
- STP21N65M5 Stock
- STP21N65M5 Pinout
- Datasheet STP21N65M5
- STP21N65M5 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STP21N65M5 Price
- STP21N65M5 Distributor
STP21N65M5 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ V |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Ta), 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3430pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 267W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3660pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-5 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 167W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 830mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92-3 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 115W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
