STP3N150
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| Teilenummer | STP3N150 |
| PNEDA Teilenummer | STP3N150 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.792 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STP3N150 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STP3N150 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STP3N150 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 1.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 939pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSII FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UFM Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
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