STS4C3F60L
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| Teilenummer | STS4C3F60L |
| PNEDA Teilenummer | STS4C3F60L |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.310 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STS4C3F60L Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STS4C3F60L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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STS4C3F60L Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V Leistung - max 320mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
