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STS8C5H30L

STS8C5H30L

Nur als Referenz

Teilenummer STS8C5H30L
PNEDA Teilenummer STS8C5H30L
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STS8C5H30L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS8C5H30L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STS8C5H30L, STS8C5H30L Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 849,98 KB)
PDFSTS8C5H30L Datenblatt Cover
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STS8C5H30L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ III
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A, 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds857pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 20V

Leistung - max

3W, 3.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI9933BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ZDM4206NTA

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Leistung - max

2.75W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A, 9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 15V

Leistung - max

1.4W, 2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

205mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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