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STU5N60M2

STU5N60M2

Nur als Referenz

Teilenummer STU5N60M2
PNEDA Teilenummer STU5N60M2
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
Hersteller STMicroelectronics
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STU5N60M2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTU5N60M2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STU5N60M2, STU5N60M2 Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 540,71 KB)
PDFSTD5N60M2 Datenblatt Cover
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STU5N60M2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II Plus
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds165pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)45W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

HUF76619D3ST

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

767pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQPF30N06L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FCH35N60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

181nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6640pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

312.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

RDX100N60FU6

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FM

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SI4654DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 5.9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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CAP TANT 10UF 10% 50V 2917

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