Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STW20NK70Z

STW20NK70Z

Nur als Referenz

Teilenummer STW20NK70Z
PNEDA Teilenummer STW20NK70Z
Beschreibung MOSFET N-CH 700V 20A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.058
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 26 - Mai 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STW20NK70Z Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW20NK70Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW20NK70Z, STW20NK70Z Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 216,81 KB)
PDFSTW20NK70Z Datenblatt Cover
STW20NK70Z Datenblatt Seite 2 STW20NK70Z Datenblatt Seite 3 STW20NK70Z Datenblatt Seite 4 STW20NK70Z Datenblatt Seite 5 STW20NK70Z Datenblatt Seite 6 STW20NK70Z Datenblatt Seite 7 STW20NK70Z Datenblatt Seite 8 STW20NK70Z Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STW20NK70Z Datasheet
  • where to find STW20NK70Z
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STW20NK70Z
  • STW20NK70Z PDF Datasheet
  • STW20NK70Z Stock

  • STW20NK70Z Pinout
  • Datasheet STW20NK70Z
  • STW20NK70Z Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STW20NK70Z Price
  • STW20NK70Z Distributor

STW20NK70Z Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)700V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs285mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)350W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MSC025SMA120S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FQD3N50CTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

365pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RD3L050SNFRATL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

109mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

15W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVTFS6H850NLTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

PMV20ENR

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

510mW (Ta), 6.94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

LTC1453CS8#PBF

LTC1453CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

1SMC48A TR13

1SMC48A TR13

Central Semiconductor Corp

TVS DIODE 48V 77.4V SMC

LTST-S326KGJRKT

LTST-S326KGJRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD R/A

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

WSL1206R0100FEA

WSL1206R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/4W 1206

MMSS8550-H-TP

MMSS8550-H-TP

Micro Commercial Co

TRANS PNP 25V 1.5A SOT23

NC7WZ132K8X

NC7WZ132K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND SCHMITT 2CH US8

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23

64900001039

64900001039

Littelfuse

FUSE BLOCK CART 250V 6.3A PCB

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

BZ-2RDT

BZ-2RDT

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 125V

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD