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SUD40N04-10A-E3

SUD40N04-10A-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SUD40N04-10A-E3
PNEDA Teilenummer SUD40N04-10A-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 7.776
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SUD40N04-10A-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSUD40N04-10A-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SUD40N04-10A-E3, SUD40N04-10A-E3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 49,61 KB)
PDFSUD40N04-10A-E3 Datenblatt Cover
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SUD40N04-10A-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)71W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

102A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

FDV304P-D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

460mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

-8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STD15N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

816pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF840SPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXUN280N10

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 140A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

440nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

770W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Kürzlich verkauft

PIC16F77-I/P

PIC16F77-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP

L7805CD2T-TR

L7805CD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A D2PAK

MT29F128G08CFABAWP:B

MT29F128G08CFABAWP:B

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

BZV55C4V7

BZV55C4V7

Microsemi

DIODE ZENER 4.7V DO213AA

NTGS5120PT1G

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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL

NANOSMDC035F-2

NANOSMDC035F-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 16V 350MA 1206

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IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

TLMY1000-GS08

TLMY1000-GS08

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LED YELLOW 0603 SMD

AT28HC256-12SI

AT28HC256-12SI

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC