SUP90N04-3M3P-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SUP90N04-3M3P-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SUP90N04-3M3P-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SUP90N04-3M3P-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SUP90N04-3M3P-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SUP90N04-3M3P-GE3, SUP90N04-3M3P-GE3 Datenblatt
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SUP90N04-3M3P-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 131nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5286pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7970pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 570W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) Paket / Fall TO-274AA |
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