Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4

Nur als Referenz

Teilenummer TC58BYG2S0HBAI4
PNEDA Teilenummer TC58BYG2S0HBAI4
Beschreibung 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.584
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TC58BYG2S0HBAI4 Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC58BYG2S0HBAI4
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TC58BYG2S0HBAI4 Datasheet
  • where to find TC58BYG2S0HBAI4
  • Toshiba Memory America, Inc.

  • Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI4
  • TC58BYG2S0HBAI4 PDF Datasheet
  • TC58BYG2S0HBAI4 Stock

  • TC58BYG2S0HBAI4 Pinout
  • Datasheet TC58BYG2S0HBAI4
  • TC58BYG2S0HBAI4 Supplier

  • Toshiba Memory America, Inc. Distributor
  • TC58BYG2S0HBAI4 Price
  • TC58BYG2S0HBAI4 Distributor

TC58BYG2S0HBAI4 Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
SerieBenand™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Speichergröße4G (512M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall63-VFBGA
Lieferantengerätepaket63-TFBGA (9x11)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AS4C16M32SC-7TIN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

17ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

IS42S16100F-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

50-TSOP II

24LC32AT-E/MNY

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (2x3)

7140LA20JG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.13x19.13)

71V35761SA166BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

Kürzlich verkauft

TLP290(GR-TP,SE

TLP290(GR-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

ZTB800J

ZTB800J

ECS

CER RES 800.0000KHZ T/H

AD7923BRUZ

AD7923BRUZ

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 16TSSOP

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

NJM2121M

NJM2121M

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DMP

SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

EEU-ED2G220

EEU-ED2G220

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 400V RADIAL

ADP151AUJZ-1.8-R7

ADP151AUJZ-1.8-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 200MA TSOT5

74LVX14MTCX

74LVX14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

DLP11TB800UL2L

DLP11TB800UL2L

Murata

CMC 100MA 2LN 80 OHM SMD

LQH2MCN100K02L

LQH2MCN100K02L

Murata

FIXED IND 10UH 225MA 1.2 OHM SMD

ACF451832-333-TD01

ACF451832-333-TD01

TDK

FILTER LC(T) SMD