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TC6321T-V/9U

TC6321T-V/9U

Nur als Referenz

Teilenummer TC6321T-V/9U
PNEDA Teilenummer TC6321T-V-9U
Beschreibung MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
Hersteller Microchip Technology
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TC6321T-V/9U Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC6321T-V/9U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TC6321T-V/9U, TC6321T-V/9U Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 418,5 KB)
PDFTC6321T-V/9U Datenblatt Cover
TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 2 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 3 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 4 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 5 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 6 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 7 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 8 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 9 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 10 TC6321T-V/9U Datenblatt Seite 11

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TC6321T-V/9U Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 25V, 200pF @ 25V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-VDFN (6x5)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 25V

Leistung - max

65W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

IRF7343PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 5V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

EMH2314-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

AON6908A

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A, 17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V

Leistung - max

1.9W, 2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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