TF252TH-4A-TL-H
Nur als Referenz
| Teilenummer | TF252TH-4A-TL-H | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | TF252TH-4A-TL-H | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 1MA 100MW | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 157.398 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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TF252TH-4A-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TF252TH-4A-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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TF252TH-4A-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 140µA @ 2V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 1mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 100mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.1pF @ 2V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | VTFP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 0.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 30mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-USFP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 200mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket SMV |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 200mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-CP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1.5V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
