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TK290P60Y,RQ

TK290P60Y,RQ

Nur als Referenz

Teilenummer TK290P60Y,RQ
PNEDA Teilenummer TK290P60Y-RQ
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TK290P60Y Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTK290P60Y,RQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TK290P60Y Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieDTMOSV
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds730pF @ 300V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)100W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2820pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRLML6402TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Micro3™/SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STSJ100NHS3LL

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

IRLS4030TRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11360pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PSMN5R3-25MLDX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

858pF @ 12V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

51W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK33

Paket / Fall

SOT-1210, 8-LFPAK33

Kürzlich verkauft

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

IRF7240TRPBF

IRF7240TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

DSPIC30F4013-30I/PT

DSPIC30F4013-30I/PT

Microchip Technology

IC MCU 16BIT 48KB FLASH 44TQFP

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

EXB-38V102JV

EXB-38V102JV

Panasonic Electronic Components

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 1206

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

ADP7182AUJZ-5.0-R7

ADP7182AUJZ-5.0-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR -5V 200MA 5TSOT

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

ADA4870ARRZ-RL

ADA4870ARRZ-RL

Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

74AHCT125PW,118

74AHCT125PW,118

Nexperia

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP