TK3R1E04PL,S1X
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| Teilenummer | TK3R1E04PL,S1X |
| PNEDA Teilenummer | TK3R1E04PL-S1X |
| Beschreibung | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK3R1E04PL Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK3R1E04PL,S1X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK3R1E04PL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIX-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 87W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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