TK40A06N1,S4X
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| Teilenummer | TK40A06N1,S4X |
| PNEDA Teilenummer | TK40A06N1-S4X |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TK40A06N1 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK40A06N1,S4X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK40A06N1 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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