TK4A53D(STA4,Q,M)
Nur als Referenz
| Teilenummer | TK4A53D(STA4,Q,M) |
| PNEDA Teilenummer | TK4A53D-STA4-Q-M |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TK4A53D(STA4 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TK4A53D(STA4,Q,M) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TK4A53D(STA4,Q,M) Datasheet
- where to find TK4A53D(STA4,Q,M)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TK4A53D(STA4,Q,M)
- TK4A53D(STA4,Q,M) PDF Datasheet
- TK4A53D(STA4,Q,M) Stock
- TK4A53D(STA4,Q,M) Pinout
- Datasheet TK4A53D(STA4,Q,M)
- TK4A53D(STA4,Q,M) Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TK4A53D(STA4,Q,M) Price
- TK4A53D(STA4,Q,M) Distributor
TK4A53D(STA4 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220SIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 61A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 91W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 120W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PF Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 424pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 42µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
