TK90S06N1L,LQ
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| Teilenummer | TK90S06N1L,LQ |
| PNEDA Teilenummer | TK90S06N1L-LQ |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK90S06N1L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK90S06N1L,LQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK90S06N1L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 157W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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