Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TP2540N3-G-P002

TP2540N3-G-P002

Nur als Referenz

Teilenummer TP2540N3-G-P002
PNEDA Teilenummer TP2540N3-G-P002
Beschreibung MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
Hersteller Microchip Technology
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TP2540N3-G-P002 Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTP2540N3-G-P002
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TP2540N3-G-P002 Datasheet
  • where to find TP2540N3-G-P002
  • Microchip Technology

  • Microchip Technology TP2540N3-G-P002
  • TP2540N3-G-P002 PDF Datasheet
  • TP2540N3-G-P002 Stock

  • TP2540N3-G-P002 Pinout
  • Datasheet TP2540N3-G-P002
  • TP2540N3-G-P002 Supplier

  • Microchip Technology Distributor
  • TP2540N3-G-P002 Price
  • TP2540N3-G-P002 Distributor

TP2540N3-G-P002 Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.86mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds125pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)740mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92-3
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQP30N06L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

BSC032N04LSATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 98A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-6

Paket / Fall

8-PowerTDFN

NTTFS015P03P8ZTWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.4A (Ta), 47.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2706pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.66W (Ta), 33.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

IRFR3711Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

93A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2160pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN62D0UWQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

XC3S200AN-4FTG256C

XC3S200AN-4FTG256C

Xilinx

IC FPGA 195 I/O 256FTBGA

LC4256V-75T176C

LC4256V-75T176C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP

TL074ID

TL074ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

NR4018T4R7M

NR4018T4R7M

Taiyo Yuden

FIXED IND 4.7UH 1.2A 108 MOHM

ISL6269CRZ

ISL6269CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

L7805ABV

L7805ABV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A TO220AB

W25Q64FVSSIG

W25Q64FVSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

ST10F276Z5T3

ST10F276Z5T3

STMicroelectronics

IC MCU 16BIT 832KB FLASH 144LQFP

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK