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TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Nur als Referenz

Teilenummer TPC8033-H(TE12LQM)
PNEDA Teilenummer TPC8033-H-TE12LQM
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8033-H(TE12LQM) Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPC8033-H(TE12LQM)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
TPC8033-H(TE12LQM), TPC8033-H(TE12LQM) Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 1.617,96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L Datenblatt Cover
TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 2 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 3 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 4 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 5 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 6 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 7 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 8 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 9 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 10 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 11

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TPC8033-H(TE12LQM) Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3713pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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NVMFS4C05NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24.7A (Ta), 116A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1972pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.61W (Ta), 79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

STB9NK70ZT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL540NSTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STI16N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

279mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

APT18F60B

Microsemi

Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

335W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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