TPC8A02-H(TE12L,Q)
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| Teilenummer | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
| PNEDA Teilenummer | TPC8A02-H-TE12L-Q |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.140 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPC8A02-H(TE12L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
TPC8A02-H(TE12L, TPC8A02-H(TE12L Datenblatt
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TPC8A02-H(TE12L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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