TPCF8B01(TE85L,F,M
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| Teilenummer | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| PNEDA Teilenummer | TPCF8B01-TE85L-F-M |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 28 - Jul 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TPCF8B01(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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TPCF8B01(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 330mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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