TPD3215M
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| Teilenummer | TPD3215M |
| PNEDA Teilenummer | TPD3215M |
| Beschreibung | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| Hersteller | Transphorm |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.640 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPD3215M Ressourcen
| Marke | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPD3215M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TPD3215M Technische Daten
| Hersteller | Transphorm |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Leistung - max | 470W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V Leistung - max 1.29W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
