TPH3208PS
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| Teilenummer | TPH3208PS |
| PNEDA Teilenummer | TPH3208PS |
| Beschreibung | GANFET N-CH 650V 20A TO220 |
| Hersteller | Transphorm |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.416 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPH3208PS Ressourcen
| Marke | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH3208PS |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH3208PS Technische Daten
| Hersteller | Transphorm |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 740mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN1616-6 Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad |
Hersteller Sanken Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 85W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
