TPH4R10ANL,L1Q
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| Teilenummer | TPH4R10ANL,L1Q |
| PNEDA Teilenummer | TPH4R10ANL-L1Q |
| Beschreibung | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPH4R10ANL Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH4R10ANL,L1Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH4R10ANL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 92A (Ta), 70A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6.3nF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 67W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 9.8A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 204W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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