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TSM10N80CI C0G

TSM10N80CI C0G

Nur als Referenz

Teilenummer TSM10N80CI C0G
PNEDA Teilenummer TSM10N80CI-C0G
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM10N80CI C0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM10N80CI C0G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TSM10N80CI C0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2336pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketITO-220AB
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC020N03LSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

8-PowerTDFN

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

145A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.8W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IRF9540NSTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

266nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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