Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TSM1NB60SCT B0

TSM1NB60SCT B0

Nur als Referenz

Teilenummer TSM1NB60SCT B0
PNEDA Teilenummer TSM1NB60SCT-B0
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.024
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TSM1NB60SCT B0 Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM1NB60SCT B0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
TSM1NB60SCT B0, TSM1NB60SCT B0 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 694,91 KB)
PDFTSM1NB60SCT B0 Datenblatt Cover
TSM1NB60SCT B0 Datenblatt Seite 2 TSM1NB60SCT B0 Datenblatt Seite 3 TSM1NB60SCT B0 Datenblatt Seite 4 TSM1NB60SCT B0 Datenblatt Seite 5 TSM1NB60SCT B0 Datenblatt Seite 6 TSM1NB60SCT B0 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TSM1NB60SCT B0 Datasheet
  • where to find TSM1NB60SCT B0
  • Taiwan Semiconductor Corporation

  • Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT B0
  • TSM1NB60SCT B0 PDF Datasheet
  • TSM1NB60SCT B0 Stock

  • TSM1NB60SCT B0 Pinout
  • Datasheet TSM1NB60SCT B0
  • TSM1NB60SCT B0 Supplier

  • Taiwan Semiconductor Corporation Distributor
  • TSM1NB60SCT B0 Price
  • TSM1NB60SCT B0 Distributor

TSM1NB60SCT B0 Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds138pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPI147N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

56A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.7mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 61µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 60V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AUIRFS4610

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

73A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB083N15N5LFATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

105A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 134µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

179W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFU3706PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

BUZ73H3046XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

XC7Z045-2FFG676I

XC7Z045-2FFG676I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 800MHZ 676FCBGA

PIC18F1230-I/SO

PIC18F1230-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

SHT21

SHT21

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 3V I2C 2% SMD

LTC3774EUHE#PBF

LTC3774EUHE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 36QFN

2N6433

2N6433

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

PIC18F2423-I/SO

PIC18F2423-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 28SOIC

74HC4051D

74HC4051D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MUX 8:1 4 OHM 16SOIC

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

MMSZ5235BT1G

MMSZ5235BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

TCS3200D-TR

TCS3200D-TR

ams

IC COLOR SENSOR LIGHT-FREQ 8SOIC

HCTI-10-20.0

HCTI-10-20.0

Signal Transformer

FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH