TSM6502CR RLG
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| Teilenummer | TSM6502CR RLG |
| PNEDA Teilenummer | TSM6502CR-RLG |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.616 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM6502CR RLG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM6502CR RLG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TSM6502CR RLG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 24A (Tc), 18A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V |
| Leistung - max | 40W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (5x6) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ 4 N-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 830mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 14-DIP |
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