TTW3C85N16LOFHOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | TTW3C85N16LOFHOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | TTW3C85N16LOFHOSA1 |
| Beschreibung | SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TTW3C85N16LOFHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TTW3C85N16LOFHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Thyristoren › Thyristoren - SCRs - Module |
| Datenblatt |
TTW3C85N16LOFHOSA1, TTW3C85N16LOFHOSA1 Datenblatt
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TTW3C85N16LOFHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Struktur | Bridge, 3-Phase - All SCRs |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 6 SCRs |
| Spannung - Aus Zustand | 1.6kV |
| Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 106A |
| Current - On State (It (RMS)) (max.) | 75A |
| Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2.5V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 720A @ 50Hz |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 200mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Struktur Series Connection - SCR/Diode Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR, 1 Diode Spannung - Aus Zustand 800V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 27A Current - On State (It (RMS)) (max.) 60A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 150mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 400A, 420A Current - Hold (Ih) (Max) 200mA Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ADD-A-PAK (3 + 2) |
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