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UCC27423QDGNRQ1

UCC27423QDGNRQ1

Nur als Referenz

Teilenummer UCC27423QDGNRQ1
PNEDA Teilenummer UCC27423QDGNRQ1
Beschreibung IC MOSFET DVR DUAL 4A HS 8MSOP
Hersteller Texas Instruments
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UCC27423QDGNRQ1 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUCC27423QDGNRQ1
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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UCC27423QDGNRQ1 Technische Daten

Hersteller
SerieAutomotive, AEC-Q100
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4A, 4A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 15ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MSOP-PowerPad

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 24ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

EB01-FS150R17KE3G

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

LM5100CMY/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

990ns, 715ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

LM5134BSD/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 7.6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3ns, 2ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-WSON (3x3)

DGD2184MS8-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.4A, 1.8A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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