UNR9218J0L
Nur als Referenz
| Teilenummer | UNR9218J0L |
| PNEDA Teilenummer | UNR9218J0L |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UNR9218J0L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UNR9218J0L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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UNR9218J0L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 510 Ohms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 5.1 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Leistung - max | 125mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Lieferantengerätepaket | SSMini3-F1 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket EMT3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket UMT3F |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SST3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SC-75, SOT-416 |
