Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT

Nur als Referenz

Teilenummer UPA3753GR-E1-AT
PNEDA Teilenummer UPA3753GR-E1-AT
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.438
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UPA3753GR-E1-AT Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA3753GR-E1-AT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
UPA3753GR-E1-AT, UPA3753GR-E1-AT Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 136,68 KB)
PDFUPA3753GR-E1-AT Datenblatt Cover
UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 2 UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 3 UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 4 UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 5 UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 6 UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 7 UPA3753GR-E1-AT Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • UPA3753GR-E1-AT Datasheet
  • where to find UPA3753GR-E1-AT
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America UPA3753GR-E1-AT
  • UPA3753GR-E1-AT PDF Datasheet
  • UPA3753GR-E1-AT Stock

  • UPA3753GR-E1-AT Pinout
  • Datasheet UPA3753GR-E1-AT
  • UPA3753GR-E1-AT Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • UPA3753GR-E1-AT Price
  • UPA3753GR-E1-AT Distributor

UPA3753GR-E1-AT Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 10V
Leistung - max1.12W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-SOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDS4935A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NVMFD5C478NWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.8A (Ta), 27A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

Leistung - max

3.1W (Ta), 23W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SI5947DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Leistung - max

10.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

DMC3060LVT-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FDMD85100

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 50V

Leistung - max

2.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-Power 5x6

Kürzlich verkauft

M24256-BRMN6TP

M24256-BRMN6TP

STMicroelectronics

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

HSMG-C680

HSMG-C680

Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

PDS760-13

PDS760-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

1812L110/33MR

1812L110/33MR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 1812

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

HCPL-0531-500E

HCPL-0531-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8SOIC

SESD0402X1BN-0010-098

SESD0402X1BN-0010-098

Littelfuse

TVS DIODE 7V 10V 0402