Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

US5U30TR

US5U30TR

Nur als Referenz

Teilenummer US5U30TR
PNEDA Teilenummer US5U30TR
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.590
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

US5U30TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUS5U30TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
US5U30TR, US5U30TR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.704,96 KB)
PDFUS5U30TR Datenblatt Cover
US5U30TR Datenblatt Seite 2 US5U30TR Datenblatt Seite 3 US5U30TR Datenblatt Seite 4 US5U30TR Datenblatt Seite 5 US5U30TR Datenblatt Seite 6 US5U30TR Datenblatt Seite 7 US5U30TR Datenblatt Seite 8 US5U30TR Datenblatt Seite 9 US5U30TR Datenblatt Seite 10 US5U30TR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • US5U30TR Datasheet
  • where to find US5U30TR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor US5U30TR
  • US5U30TR PDF Datasheet
  • US5U30TR Stock

  • US5U30TR Pinout
  • Datasheet US5U30TR
  • US5U30TR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • US5U30TR Price
  • US5U30TR Distributor

US5U30TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 10V
FET-FunktionSchottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTUMT5
Paket / Fall6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFU220PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPP80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 280µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

84W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

FQA16N50-F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IXFT14N80P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

720mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5420pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

3296W-1-103LF

3296W-1-103LF

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

CDRH2D14NP-2R2NC

CDRH2D14NP-2R2NC

Sumida

FIXED IND 2.2UH 1.6A 94 MOHM SMD

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

ERA-3AEB101V

ERA-3AEB101V

Panasonic Electronic Components

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0603

MCP1826-3302E/ET

MCP1826-3302E/ET

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 1A 5DDPAK

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123

170M3618

170M3618

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE SQUARE 350A 700VAC RECT

MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 19A DPAK