V10P45HM3_A/H
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| Teilenummer | V10P45HM3_A/H |
| PNEDA Teilenummer | V10P45HM3_A-H |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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V10P45HM3_A/H Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | V10P45HM3_A/H |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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V10P45HM3_A/H Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 800µA @ 45V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 600mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-215AB, SMC Gull Wing Lieferantengerätepaket DO-215AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 930mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
