VP2206N3-G
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| Teilenummer | VP2206N3-G |
| PNEDA Teilenummer | VP2206N3-G |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.012 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VP2206N3-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VP2206N3-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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VP2206N3-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 640mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 740mW (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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