VQ1006P
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| Teilenummer | VQ1006P |
| PNEDA Teilenummer | VQ1006P |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VQ1006P Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VQ1006P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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VQ1006P Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 14-DIP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.13A, 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 570mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
