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VS-111MT160KPBF

VS-111MT160KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-111MT160KPBF
PNEDA Teilenummer VS-111MT160KPBF
Beschreibung BRIDGE RECT 3P 1.6KV 110A MT-K
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.762
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-111MT160KPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-111MT160KPBF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
VS-111MT160KPBF, VS-111MT160KPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 207,5 KB)
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VS-111MT160KPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypThree Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.6kV
Current - Average Rectified (Io)110A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMT-K Module
LieferantengerätepaketMT-K

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Serie

-

Diodentyp

Single Phase

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Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

JA

GBPC1501W

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micro Commercial Co

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Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.6kV

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 150A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 1600V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

GBL

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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