VS-3EJH02-M3/6A
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| Teilenummer | VS-3EJH02-M3/6A |
| PNEDA Teilenummer | VS-3EJH02-M3-6A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.066 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-3EJH02-M3/6A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-3EJH02-M3/6A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-3EJH02-M3/6A, VS-3EJH02-M3/6A Datenblatt
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VS-3EJH02-M3/6A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | FRED Pt® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 18ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | DO-221AC (SlimSMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 600mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 15ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 150A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.47V @ 600A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AA (DO-8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 430pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220FM Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Button, Axial Lieferantengerätepaket Microde Button Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 15V Current - Average Rectified (Io) 150mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.07V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10pA @ 15V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket DO-35 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
