VS-8EWS12STRLPBF
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| Teilenummer | VS-8EWS12STRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | VS-8EWS12STRLPBF |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-8EWS12STRLPBF Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-8EWS12STRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-8EWS12STRLPBF, VS-8EWS12STRLPBF Datenblatt
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VS-8EWS12STRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 7.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 10mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 75V Kapazität @ Vr, F. 4pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 6ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 75V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 20A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 20A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 1000pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPTL Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
