VS-GB200NH120N
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| Teilenummer | VS-GB200NH120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB200NH120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB200NH120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB200NH120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GB200NH120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 420A |
| Leistung - max | 1562W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 29nF @ 10V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 575W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 34 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 34 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 115A Leistung - max 460W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
