VS-GB300TH120N
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| Teilenummer | VS-GB300TH120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB300TH120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.650 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB300TH120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB300TH120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GB300TH120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500A |
| Leistung - max | 1645W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 300A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 21.2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 15nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 138A Leistung - max 568W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 125A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ECO-PAC2 Lieferantengerätepaket ECO-PAC2 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 180A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 8.4W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 40µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 23-DIP Module (0.573", 14.55mm) Lieferantengerätepaket 23-DIP |
