VS-GB600AH120N
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| Teilenummer | VS-GB600AH120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB600AH120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.312 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB600AH120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB600AH120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GB600AH120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 910A |
| Leistung - max | 3125W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 600A (Typ) |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 41nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (5) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 275A Leistung - max 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700A Leistung - max 2300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
