VS-GB75NA60UF
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| Teilenummer | VS-GB75NA60UF |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB75NA60UF |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB75NA60UF Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB75NA60UF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GB75NA60UF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 109A |
| Leistung - max | 447W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 19nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 3780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 98.8nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Leistung - max 1710W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
