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VS-GT100TP120N

VS-GT100TP120N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GT100TP120N
PNEDA Teilenummer VS-GT100TP120N
Beschreibung IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-GT100TP120N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GT100TP120N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GT100TP120N, VS-GT100TP120N Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 183,81 KB)
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VS-GT100TP120N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)180A
Leistung - max652W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce12.8nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-PAK (3 + 4)
LieferantengerätepaketINT-A-PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

3350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM400DU-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

60nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM100DU-12F

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM75TL-12NF

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11.3nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GSID200A170S3B1

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D3

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