VS-GT200TP065N
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| Teilenummer | VS-GT200TP065N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GT200TP065N |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.708 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-GT200TP065N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GT200TP065N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GT200TP065N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 221A |
| Leistung - max | 600W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 60µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 90A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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