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W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

Nur als Referenz

Teilenummer W978H2KBVX2E
PNEDA Teilenummer W978H2KBVX2E
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 6.264
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W978H2KBVX2E Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW978H2KBVX2E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W978H2KBVX2E, W978H2KBVX2E Datenblatt (Total Pages: 122, Größe: 4.121,3 KB)
PDFW978H6KBQX2I Datenblatt Cover
W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 2 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 3 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 4 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 5 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 6 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 7 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 8 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 9 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 10 W978H6KBQX2I Datenblatt Seite 11

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W978H2KBVX2E Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall134-VFBGA
Lieferantengerätepaket134-VFBGA (10x11.5)

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT71V65803S100PFI

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

AT29LV040A-15JU-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

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