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XF1001-SC-0G0T

XF1001-SC-0G0T

Nur als Referenz

Teilenummer XF1001-SC-0G0T
PNEDA Teilenummer XF1001-SC-0G0T
Beschreibung TRANS HFET 1W SOT89
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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XF1001-SC-0G0T Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerXF1001-SC-0G0T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
XF1001-SC-0G0T, XF1001-SC-0G0T Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 651,87 KB)
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XF1001-SC-0G0T Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypHFET
Frequenz6GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest8V
Nennstrom (Ampere)450mA
Rauschzahl4.5dB
Stromtest300mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung9V
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

CGH40006S

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 6GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-QFN-EP (3x3)

PTFA092213ELV4R0XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

4W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

USQ

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REF195GSZ

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 32LQFN

MAX3232EUE+

MAX3232EUE+

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MC9S08AC96CLKE

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IRFB13N50A

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