XN0555300L
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| Teilenummer | XN0555300L |
| PNEDA Teilenummer | XN0555300L |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 100V 0.02A MINI6 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.148 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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XN0555300L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | XN0555300L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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XN0555300L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 400 @ 2mA, 10V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | MINI6-G1 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN, PNP Darlington (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.28V @ 2mA, 1.75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 280mV @ 50mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 3A, 2V Leistung - max 1.7W Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3.5A, 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V, 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 160MHz, 180MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2) |
